ELZON.RU
Запрос
Логотип Загрузка BOM BETA

РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ

Каталог 12.3 млн электронных компонентов • Цены и остатки складов онлайн

Примеры:
📁
Каталог · Вы находитесь в категории
Дискретные полупроводники › Транзисторы
2SA1588-GR,LF
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 4,963 шт.
0.206 EUR
от 1 шт.
2SA1618-GR(TE85L,F
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 8,338 шт.
0.292 EUR
от 1 шт.
2SA1971(TE12L,F)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,096 шт.
0.843 EUR
от 1 шт.
2SA2154CT-GR,L3F
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 145,453 шт.
0.232 EUR
от 1 шт.
2SC1623-L5-HF
Производитель: Comchip Technology
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS 50V 0.1A SOT-23-3

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case):
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура:
150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
250MHz
Максимальная мощность:
200 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100 mA
Тип корпуса от поставщика:
SOT-23-3
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
300mV @ 10mA, 100mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
135 @ 1mA, 6V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 2,872 шт.
0.241 EUR
от 1 шт.
2SC2712-OTE85LF
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 8,353 шт.
0.172 EUR
от 1 шт.
2SC4207-Y(TE85L,F)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 6,711 шт.
0.292 EUR
от 1 шт.
2SC4213-A(TE85L,F)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 846 шт.
0.318 EUR
от 1 шт.
2SC4738-Y,LXHF
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 6,000 шт.
0.267 EUR
от 1 шт.
2SC4944-GR(TE85L,F
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 3,428 шт.
0.292 EUR
от 1 шт.
2SC5200N(S1,E,S)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 265 шт.
27.52 HKD
от 5 шт.
2SK209-GR(TE85L,F)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 3,000 шт.
1.815 HKD
от 3000 шт.
RS HK
Доступно: 25 шт.
3.772 HKD
от 25 шт.
2SK209-Y(TE85L,F)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 2,470 шт.
3.45 HKD
от 100 шт.
RS HK
Доступно: 40 шт.
3.58 HKD
от 10 шт.
ALD212900APAL
Производитель: Advanced Linear Devices
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 6 шт.
11.05 EUR
от 1 шт.
ALD910025SAL
Производитель: Advanced Linear Devices
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Специального назначения
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 50 шт.
7.37 EUR
от 1 шт.
BC337-16
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип транзистора:
NPN
Тип корпуса (Package/Case):
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
100MHz
Максимальная мощность:
625 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
800 mA
Тип корпуса от поставщика:
TO-92
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
45 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
700mV @ 50mA, 500mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
100 @ 100mA, 1V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 8,435 шт.
0.146 EUR
от 1 шт.
BC337-16BK
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS NPN 45V 0.8A TO92

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип транзистора:
NPN
Тип корпуса (Package/Case):
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
100MHz
Максимальная мощность:
625 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
800 mA
Тип корпуса от поставщика:
TO-92
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
45 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
700mV @ 50mA, 500mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
100 @ 100mA, 1V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 2,340 шт.
0.146 EUR
от 1 шт.
BC338-40 A1G
Производитель: Taiwan Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 3,503 шт.
0.37 EUR
от 1 шт.
BC546A A1G
Производитель: Taiwan Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,477 шт.
0.292 EUR
от 1 шт.
BC546A B1G
Производитель: Taiwan Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 5,385 шт.
0.292 EUR
от 1 шт.
Страница 1 из 20 1 …