ELZON.RU
Запрос
Логотип Загрузка BOM BETA

РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ

Каталог 12.3 млн электронных компонентов • Цены и остатки складов онлайн

Примеры:
📁
Каталог · Вы находитесь в категории
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
2SA1618-GR(TE85L,F
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 8,338 шт.
0.292 EUR
от 1 шт.
2SC4207-Y(TE85L,F)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 6,711 шт.
0.292 EUR
от 1 шт.
BC807DS,115
Производитель: Nexperia
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 4,200 шт.
1.888 HKD
от 50 шт.
Future Electronics
Доступно: 3,000 шт.
0.0988 USD
от 3000 шт.
RS HK
Доступно: 3,000 шт.
0.635 HKD
от 3000 шт.
BC817BPN
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов

BJT SOT-26 45V 500MA

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
NPN, PNP
Тип корпуса (Package/Case):
SC-74, SOT-457
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
100MHz, 80MHz
Максимальная мощность:
300mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
500mA
Тип корпуса от поставщика:
SOT-26
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
45V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
700mV @ 50mA, 500mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
160 @ 100mA, 1V
Склады и остатки
TME
Доступно: 8,950 шт.
0.144 EUR
от 1 шт.
Mouser
Доступно: 5,652 шт.
0.086 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 1,285 шт.
0.232 EUR
от 5 шт.
BC817DPN,115
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 60 шт.
0.630 EUR
от 5 шт.
BC817DS,115
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 2,072 шт.
0.29 EUR
от 1 шт.
BC817DS-25_R1_00001
Производитель: Panjit
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 8,590 шт.
0.249 EUR
от 1 шт.
BC817RAPNZ
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 2 шт.
0.591 EUR
от 5 шт.
BC846BDW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов

TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88/SC70-6

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 NPN (Dual)
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
100MHz
Максимальная мощность:
380mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
15nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
65V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
600mV @ 5mA, 100mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 729,000 шт.
0.02146 USD
от 3000 шт.
Future Electronics
Доступно: 138,000 шт.
0.0211 USD
от 3000 шт.
RS HK
Доступно: 28,625 шт.
0.912 HKD
от 25 шт.
RS HK
Доступно: 1,700 шт.
0.912 HKD
от 25 шт.
BC846BPN,115
Производитель: Nexperia
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 114,000 шт.
0.03028 USD
от 3000 шт.
Future Electronics
Доступно: 78,000 шт.
0.0399 USD
от 3000 шт.
TME
Доступно: 21,607 шт.
0.1454 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 7,037 шт.
0.310 EUR
от 5 шт.
RS HK
Доступно: 2,900 шт.
0.603 HKD
от 800 шт.
RS HK
Доступно: 200 шт.
0.619 HKD
от 100 шт.
BC846BS,115
Производитель: Nexperia
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 90,000 шт.
0.02386 USD
от 3000 шт.
Future Electronics
Доступно: 30,000 шт.
0.034 USD
от 3000 шт.
Farnell
Доступно: 9,760 шт.
0.242 EUR
от 5 шт.
RS HK
Доступно: 7,700 шт.
0.585 HKD
от 100 шт.
RS HK
Доступно: 6,000 шт.
0.309 HKD
от 3000 шт.
BC846BS-AU_R1_000A1
Производитель: Panjit
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 100 шт.
0.258 EUR
от 1 шт.
BC846BS-TP
Производитель: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 3,000 шт.
0.396 EUR
от 5 шт.
TME
Доступно: 1,855 шт.
0.203 EUR
от 1 шт.
BC846DS,115
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 2,385 шт.
0.552 EUR
от 5 шт.
BC846PN
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов

BC846PN

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель 2:
Diotec Semiconductor
Тип транзистора:
1 NPN, 1 PNP
Тип корпуса (Package/Case):
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
100MHz
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Тип корпуса от поставщика:
SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
15nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
65V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
650mV @ 5mA, 100mA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 2,826 шт.
0.232 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 2,375 шт.
0.232 EUR
от 5 шт.
BC846S
Производитель: DIOTECSEMICONDUCTOR
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 9,011 шт.
0.1963 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 150 шт.
0.191 EUR
от 5 шт.
BC846S,115
Производитель: Nexperia
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 12,200 шт.
0.585 HKD
от 200 шт.
RS HK
Доступно: 12,000 шт.
0.309 HKD
от 3000 шт.
Farnell
Доступно: 5,130 шт.
0.236 EUR
от 5 шт.
BC846S-TP
Производитель: MICROCOMMERCIALCOMPONENTS(MCC)
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 3,000 шт.
0.318 EUR
от 5 шт.
BC847BDW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов

TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 NPN (Dual)
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
100MHz
Максимальная мощность:
380mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
15nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
45V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
600mV @ 5mA, 100mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 2,775,000 шт.
0.01999 USD
от 3000 шт.
Future Electronics
Доступно: 147,000 шт.
0.0196 USD
от 3000 шт.
Farnell
Доступно: 144,745 шт.
0.170 EUR
от 5 шт.
RS HK
Доступно: 17,675 шт.
0.848 HKD
от 750 шт.
RS HK
Доступно: 15,000 шт.
0.281 HKD
от 3000 шт.
Newark
Доступно: 7,169 шт.
0.198 USD
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 750 шт.
0.868 HKD
от 25 шт.
BC847BDW1T3G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов

TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 NPN (Dual)
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
100MHz
Максимальная мощность:
380mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
15nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
45V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
600mV @ 5mA, 100mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 5,700 шт.
0.914 HKD
от 50 шт.
Farnell
Доступно: 1,872 шт.
0.161 EUR
от 5 шт.
Страница 1 из 20 1 …