ELZON.RU
Запрос
Логотип Загрузка BOM BETA

РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ

Каталог 12.3 млн электронных компонентов • Цены и остатки складов онлайн

Примеры:
📁
Каталог · Вы находитесь в категории
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
15C01M-TL-E
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS NPN 15V 700MA 3MCP

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
NPN
Тип корпуса (Package/Case):
SC-70, SOT-323
Рабочая температура:
150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
330MHz
Максимальная мощность:
300 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
700 mA
Тип корпуса от поставщика:
SC-70 / MCP3
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
15 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
300mV @ 10mA, 200mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
300 @ 10mA, 2V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 7,671 шт.
0.335 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 2,100 шт.
1.862 HKD
от 50 шт.
2DD2679-13
Производитель: Diodes Incorporated
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS NPN 30V 2A SOT89-3

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
NPN
Тип корпуса (Package/Case):
TO-243AA
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
240MHz
Максимальная мощность:
2 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
2 A
Тип корпуса от поставщика:
SOT-89-3
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
30 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
370mV @ 75mA, 1.5A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
270 @ 200mA, 2V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 326 шт.
0.903 EUR
от 1 шт.
2N2222A
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 11,292 шт.
0.129 EUR
от 1 шт.
2N2907A
Производитель: Rectron
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 13,236 шт.
0.155 EUR
от 1 шт.
Mouser
Доступно: 10,216 шт.
1.48 EUR
от 1 шт.
2N3904
Производитель: Rectron
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 25,097 шт.
0.129 EUR
от 1 шт.
Mouser
Доступно: 16,786 шт.
0.475 EUR
от 1 шт.
2N3906-HF
Производитель: Comchip Technology
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип транзистора:
PNP
Тип корпуса (Package/Case):
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
250MHz
Максимальная мощность:
625 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
200 mA
Тип корпуса от поставщика:
TO-92
Ток отсечки коллектора (Макс.):
50nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
40 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
400mV @ 5mA, 50mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
100 @ 10mA, 1V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,422 шт.
0.284 EUR
от 1 шт.
2N4401
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 21,893 шт.
0.146 EUR
от 1 шт.
2N5551
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 22,890 шт.
0.155 EUR
от 1 шт.
2SA1576UBTLR
Производитель: ROHM Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,512 шт.
0.198 EUR
от 1 шт.
2SA1588-GR,LF
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 4,963 шт.
0.206 EUR
от 1 шт.
2SA1943OTU
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS PNP 250V 17A TO264-3

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип транзистора:
PNP
Тип корпуса (Package/Case):
TO-264-3, TO-264AA
Рабочая температура:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
30MHz
Максимальная мощность:
150 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
17 A
Тип корпуса от поставщика:
TO-264-3
Ток отсечки коллектора (Макс.):
5µA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
250 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
3V @ 800mA, 8A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
80 @ 1A, 5V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,856 шт.
6.02 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 45 шт.
52.82 HKD
от 5 шт.
2SA1971(TE12L,F)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,096 шт.
0.843 EUR
от 1 шт.
2SA2126-TL-H
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS PNP 50V 3A TP-FA

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
PNP
Тип корпуса (Package/Case):
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура:
150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
390MHz
Максимальная мощность:
800 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
3 A
Тип корпуса от поставщика:
TP-FA
Ток отсечки коллектора (Макс.):
1µA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
520mV @ 100mA, 2A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
200 @ 100mA, 2V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,045 шт.
0.937 EUR
от 1 шт.
2SA2154CT-GR,L3F
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 145,453 шт.
0.232 EUR
от 1 шт.
2SAR544R
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS PNP 80V 2.5A SOT23-3

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
PNP
Тип корпуса (Package/Case):
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
280MHz
Максимальная мощность:
500 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
2.5 A
Тип корпуса от поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.):
1µA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
80 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
400mV @ 50mA, 1A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
120 @ 100mA, 3V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 8,144 шт.
0.344 EUR
от 1 шт.
2SC1623-L5-HF
Производитель: Comchip Technology
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS 50V 0.1A SOT-23-3

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case):
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура:
150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
250MHz
Максимальная мощность:
200 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100 mA
Тип корпуса от поставщика:
SOT-23-3
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
300mV @ 10mA, 100mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
135 @ 1mA, 6V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 2,872 шт.
0.241 EUR
от 1 шт.
2SC2712-OTE85LF
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 8,353 шт.
0.172 EUR
от 1 шт.
2SC3647T-TD-E
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

TRANS NPN 100V 2A PCP

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
NPN
Тип корпуса (Package/Case):
TO-243AA
Рабочая температура:
150°C (TJ)
Граничная частота (ft):
120MHz
Максимальная мощность:
500 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
2 A
Тип корпуса от поставщика:
PCP
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
100 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
400mV @ 100mA, 1A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
100 @ 100mA, 5V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,511 шт.
1.01 EUR
от 1 шт.
2SC4213-A(TE85L,F)
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 846 шт.
0.318 EUR
от 1 шт.
2SC4738-Y,LXHF
Производитель: Toshiba
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 6,000 шт.
0.267 EUR
от 1 шт.
Страница 1 из 20 1 …