ALD212900APAL

Производитель: Advanced Linear Devices Inc.

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

Технические характеристики

Технология MOSFET (Metal Oxide)

Тип монтажа Through Hole

Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Производитель 2 Advanced Linear Devices Inc.

Тип корпуса (Package/Case) 8-DIP (0.300", 7.62mm)

Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TJ)

Максимальная мощность 500mW

Напряжение сток-исток (Vdss) 10.6V

Тип корпуса от поставщика 8-PDIP

Постоянный ток стока (Id) при 25°C 80mA

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 30pF @ 5V

Особенности FET (полевого транзистора) Logic Level Gate

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 10mV @ 20µA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 14Ohm

Складские остатки и цены

Mouser 6 шт.