2DD2679-13

Производитель: Diodes Incorporated

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS NPN 30V 2A SOT89-3

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Тип транзистора NPN

Тип корпуса (Package/Case) TO-243AA

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Граничная частота (ft) 240MHz

Максимальная мощность 2 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 2 A

Тип корпуса от поставщика SOT-89-3

Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA (ICBO)

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 30 V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 370mV @ 75mA, 1.5A

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 270 @ 200mA, 2V

Складские остатки и цены

RS HK 550 шт.

Mouser 326 шт.