C3M0045065J1

Производитель: Wolfspeed, Inc.

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

650V 45 M SIC MOSFET

Технические характеристики

Технология SiCFET (Silicon Carbide)

Тип монтажа Surface Mount

Тип корпуса (Package/Case) TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)

Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V

Тип корпуса от поставщика TO-263-7

Тип полевого транзистора (FET) N-Channel

Рассеиваемая мощность (Макс.) 147W (Tc)

Постоянный ток стока (Id) при 25°C 47A (Tc)

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 1621 pF @ 400 V

Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) +19V, -8V

Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 61 nC @ 15 V

Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3.6V @ 4.84mA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 60mOhm @ 17.6A, 15V

Складские остатки и цены

Mouser 611 шт.