BSP295H6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4

Технические характеристики

Технология MOSFET (Metal Oxide)

Тип монтажа Surface Mount

Тип корпуса (Package/Case) TO-261-4, TO-261AA

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V

Тип корпуса от поставщика PG-SOT223-4

Тип полевого транзистора (FET) N-Channel

Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.8W (Ta)

Постоянный ток стока (Id) при 25°C 1.8A (Ta)

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 368 pF @ 25 V

Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V

Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 17 nC @ 10 V

Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.8V @ 400µA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 300mOhm @ 1.8A, 10V

Складские остатки и цены

Mouser 8,957 шт.

TME 1,844 шт.

RS HK 115 шт.