Запрос
Вернуться в каталог и поиск

ALD212914SAL

Производитель: Advanced Linear Devices Inc.

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Производитель 2 Advanced Linear Devices Inc.
Тип корпуса (Package/Case) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Максимальная мощность 500mW
Напряжение сток-исток (Vdss) 10.6V
Тип корпуса от поставщика 8-SOIC
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 80mA
Особенности FET (полевого транзистора) Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 20mV @ 10µA
Складские остатки и цены
Mouser 28 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 10.07 EUR
от 10 шт. 7.32 EUR
от 100 шт. 6.11 EUR
от 500 шт. 5.44 EUR
от 1000 шт. 5.09 EUR