A5G07H800W19NR3

Производитель: NXP USA Inc.

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Полевые РЧ-транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › RF FETs, MOSFETs

A5G07H800W19NR3

Технические характеристики

Частота 717MHz ~ 850MHz

Технология GaN

Тип монтажа Surface Mount

Производитель 2 NXP USA Inc.

Выходная мощность 112W

Испытательный ток 350 mA

Тип корпуса (Package/Case) OM-780-4S4S

Коэффициент усиления 18.3dB

Номинальное напряжение 125 V

Испытательное напряжение 50 V

Тип корпуса от поставщика OM-780-4S4S

Складские остатки и цены

Mouser 30 шт.