A3G26D055NT4
Производитель: NXP USA Inc.
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Полевые РЧ-транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › RF FETs, MOSFETs
RF GAN MOSFET AIRFAST 8W 48V
Технические характеристики
Частота
100MHz ~ 2.69GHz
Технология
GaN
Тип монтажа
Surface Mount
Выходная мощность
8W
Испытательный ток
40 mA
Тип корпуса (Package/Case)
6-LDFN Exposed Pad
Коэффициент усиления
13.9dB
Номинальное напряжение
125 V
Испытательное напряжение
48 V
Тип корпуса от поставщика
6-PDFN (7x6.5)
Складские остатки и цены
Mouser
1,053 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 48.23 EUR |
| от 10 шт. | 39.62 EUR |
| от 25 шт. | 37.40 EUR |
| от 50 шт. | 36.78 EUR |
| от 100 шт. | 35.11 EUR |
| от 250 шт. | 34.30 EUR |
| от 500 шт. | 33.82 EUR |
| от 1000 шт. | 33.79 EUR |
| от 2500 шт. | 31.42 EUR |